北京干式变压器辐射发射测试-跨接电容造成辐射超标 北京干式变压器辐射发射测试-跨接电容造成辐射超标

北京干式变压器辐射发射测试通不过的时候， 很多测试人员喜欢从 PCB 上分析超标的原因。 除了 PCB 布局、 布线外， PCB 上的一些电路设计对于辐射发射也会起到决定性的作用。

1.这种电路首推时钟线匹配电路。 时钟信号的上升沿是决定对外辐射的一个重要因素，而匹配电路直接能够决定时钟的信号质量。譬如对于始端匹配的时钟电路，始端串连的电阻选择不当或者较小可能会造成时钟线上干扰较大。

2.去耦电路。 北京干式变压器管脚上面的去耦电路也是影响 www.xdbyq.cn/RE 的一个重要因素。

3.其它不合理的电路。+

经典案例—— PGND－GND 跨接电容造成辐射超标

数通某产品在 RE 测试时， 165MHz 不满足 Class A 裕量要求， 测试结果如下：

查看单板布局， 发现地分割处布局如下图：

由于单板的总线频率为 33MHz， 165MHz 恰为 33MHz 的 5 倍频，分析干扰可能是从 GND 耦合到 PGND，通过网线驱动，从而导致辐射超标。从上图可以看到跨接电容不是两个管脚直接跨接在 PG干式变压器/ND 和 GND 之间，而是从 GND 引线到 PGND，然后再接跨接电容，因此怀疑是这段走线将干扰耦合到了 PGND， 使跨接电容没有起到作用。 将该走线刮断， 重新测试， 测试结果如下：

165Mhz 频点基本消失， 为了确认电容跨接在地分割上，是否和割断有同样的效果，把电容跨接在地分割上重新测试， 发现结果是仍然超标。

这个案例说明， GND 和 PGND 之间的电容连接有时候会导致 GND 上面的干扰耦合到 PGND 上面去，在 PGND 上面造成干扰，然后通过电缆辐射出去， 导致辐射超标。